国家/地区 中国（171）
IPC部 C（171）
IPC大类 C30（171） C01（49） C23（48）
H01（25） B82（14） C25（9）
B32（7） B01（4） C22（4）
C09（3） C21（3） B21（2）
C03（2） C04（2） C08（2）
IPC小类 C30B（171）
IPC C30B029/02（171）
发明人 ZHANG Y（16） XU X（15） CHEN X（14）
LIU Z（12） ZHANG J（12） SUN L（11）
ZHANG Z（9） GUO H（8） LI X（8）
LI Y（8） LIU K（8） WANG D（8）
WANG E（8） ZHAO X（8） HAO Y（7）
公开年 2021（20） 2012（19） 2016（16） 2022（16） 2015（15） 2013（14） 2017（12） 2011（11） 2014（11） 2020（9） 2023（8） 2018（7） 2019（7） 2009（4）
申请年 2021（22）  2012（21）  2016（18）  2013（16）  2015（13）  2020（13）  2022（13）  2011（12）  2014（10）  2019（8）  2017（7）  2018（6）  2009（5）  2010（3）  2008（2） 
专利权人 UNIV PEKING（16） UNIV XIDIAN（14） SHANGHAI INS.（11） UNIV SHANDON.（10）
BEIJING GRAP.（4） CHINESE ACAD.（3） CHINESE ACAD.（3） CHINESE ACAD.（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） HANGZHOU GEL.（3）
UNIV CHINA E.（3） UNIV FUDAN（3） UNIV NANCHAN.（3） BEIJING GRAP.（2）
CHANGZHOU ER.（2） CHONGQING GR.（2） HARBIN INST .（2） INST METAL R.（2）

Preparation of single crystal graphene film for forming electronic devices, involves laminating copper foil and base metal foil, heating, performing roll-to-roll monocrystalline graphene film growth on molten copper foil, and growing roll-to-roll single crystal graphene film.

LUO G, WANG G, WANG X, LI J, ZHANG B

Preparing single crystal graphene/two-dimensional cuprous telluride heterojunction surface-enhanced Raman spectroscopy substrate useful in surface-enhanced Raman spectroscopy, comprises etching copper film on single-crystal graphene, heating in tellurium source and molecular sieve and reacting.

CHANG K, HUANG M, WANG H, CHEN K

Crucible used for growing two-dimensional semiconductor material, comprises crucible cover comprising cover plate and cover side wall, and crucible base comprising bottom plate and bottom side wall.

ZHANG L

Preparing graphene crystal using plasma enhanced chemical vapor deposition device involves placing insulating substrate in synthesis chamber, pumping synthesis chamber to vacuum, introducing growth gas, generating plasma and transversely growing graphene small crystal nucleus on insulating substrate.

MA S, LIU B

Processing wafer level single crystal graphene heterojunction by direct growth method, comprises e.g. pre-processing the polycrystalline metal foil to obtain single crystal metal foil, using the crystal orientation inducing method to grow hexagonal boron nitride single crystal domain.

LI Y, WU B, LIANG S, LI S, ZHANG X, HU P, ZHANG J

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Method for rapidly growing double-layer graphene single crystal, by adding catalyst and polished copper foil into two quartz boats, annealing the copper foil in a vacuum atmosphere, passing hydrogen and carbon dioxide into quartz tube, and removing the copper foil from the center of tube furnace.

TANG C, GONG P, SUN Z

Preparing low transmission loss single crystal copper material comprises e.g. forming single crystal copper layer on substrate i.e. graphene layer surface, and peeling off single crystal copper layer from substrate in mixed gas atmosphere of argon and hydrogen.

WANG E, YUE X, HUANG Z, HE M, ZHANG Z, DING Z

Preparing quantum resistance chip based on graphene, involves providing silicon carbide substrate, annealing silicon carbide substrate, performing epitaxial growth on surface of substrate by using chemical vapor deposition method by using silicon ethane as gas catalyst and acetylene.

XIAO X, CHEN L, KONG Z, WANG H

Preparing single crystal domain and polycrystalline domain graphene useful in technical field of basic research and graphene, comprises heating graphene film under an air atmosphere and annealing.

ZHENG Q, MA M, HUANG J, YU Z, HE Y