国家/地区 美国（37） 韩国（30） 中国（11） 欧洲专利局（EPO）（10） 日本（3）
IPC部 H（38） C（18） G（12）
B（10）
IPC大类 H01（38） C23（8） C01（7）
G01（7） B82（4） C09（4）
B24（3） C08（3） G02（3）
B01（2） B29（2） G06（2）
G11（2）
IPC小类 H01L（37） C23C（8） C01B（7）
B82Y（4） G01N（4） B24B（3）
C08K（3） C09G（3） C09K（3）
B01D（2） B01J（2） C08L（2）
G01B（2） G01J（2） G02F（2）
IPC H01L021/02（14） H01L021/768（7） H01L029/16（7）
H01L021/285（6） C01B032/186（4） C23C016/02（4）
C23C016/26（4） H01L029/786（4） H01L051/00（4）
C01B032/182（3） C23C016/50（3） G01N023/2273（3）
H01L021/304（3） H01L021/306（3） H01L021/321（3）
发明人 SHIN H（20） SHIN H J（13） BYUN K（10）
LEE E（9） CHO Y（8） BYUN K E（7）
KIM S（7） LEE C（7） LEE M（7）
LEE C S（6） SHEN X（6） KIM C（5）
CHO Y C（4） KIM H（4） KWON H（4）
公开年 2021（46）
申请年 2020（29）  2021（16） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（46）

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Method for measuring thickness of graphene layer directly grown on silicon substrate by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), involves obtaining effective attenuation length from linear relationship between measurement results by transmission electron microscope and XPS.

LEE E K, CHO Y J, KIM S W, BYUN K, SONG H J, SHIN H J

Measuring thickness of graphene layer directly grown on silicon substrate by obtaining signal intensities from graphene layer directly grown on silicon substrate in response to emitting X-ray radiation toward graphene layer using X-ray photoelectron spectroscopy instrument and calculating thickness.

SHIN H, SONG H, BYUN K, KIM S, CHO Y, LEE E, CHO Y C, BYUN K E, SONG H J, SHIN H J, SHEN X, JIN S, ZHAO L, LI Y

Measuring thickness of graphene layer grown on silicon substrate by using X-ray photoelectron spectroscopy device comprises obtaining signal intensities from graphene layer to emit X-ray radiation and calculating thickness of graphene layer.

LEE E, CHO Y, KIM S, BYUN K, SONG H, SHIN H

Conductive structure, comprises conductive material layer including metal and work function control layer including two-dimensional material with defect, to control work function of conductive structure.

LEE C, KIM C, LEE E, BYUN K, KIM S, SHIN H, SHIN H J, BYUN K E, LEE C S, LI C, JIN C, LI Y, JIN S, SHEN X

Conductive structure for single layer structure, has work function control layer that is configured to control work function of conductive structure, where work function control layer is bonded to the conductive material layer.

SHIN H, KIM S, BYUN K, LEE E, KIM C, LEE C

Gas diffusion layer for a metal-air battery comprises porous layer comprising non-conductive fiber structures and adhesive layers and conductive carbon layers, where each conductive carbon layer comprises a carbon material.

IM D, PARK J, KIM J, KIM M

Sensor array used for motion sensor device, comprises unit element groups comprising pressure sensor, light emitting element, and light detecting element, where pressure sensor comprises variable resistance layer comprising stretchable polymer and conductive nanostructures.

HAHM S G, YUN Y, JUNG J, YOUNG J

Layer structure for use in electronic device e.g. memory device, has insulating layer for covering outside surface of diffusion barrier and conductive material layer, where edge of barrier layer is aligned with edge of material layer.

LEE J, SHIN H, PARK S, CHO Y, NAM S, SONG H

Semiconductor device e.g. NAND flash memory device, has gate layers stacked in vertical direction perpendicular to upper surface of substrate and spaced apart from each other on pattern layer, and memory vertical structure penetrating through gate layers in direction.

YANG H, KANG S