国家/地区 中国（188）
IPC部 C（107） H（62） G（43）
B（25） A（7）
IPC大类 C01（70） H01（62） G01（42）
C23（33） B82（19） C30（17）
C09（12） A61（6） B32（3）
C12（3） C22（3） B01（2）
B05（2） B81（2） C03（2）
IPC小类 C01B（70） H01L（55） G01N（34）
C23C（33） B82Y（19） C30B（17）
C09K（11） A61K（4） A61L（3）
B32B（3） G01D（3） G01R（3）
A61P（2） B05D（2） B81C（2）
IPC C01B031/04（39） C23C016/26（19） C01B032/186（16）
B82Y040/00（14） C01B032/194（12） C30B029/02（11）
H01L021/28（11） H01L021/336（11） B82Y030/00（10）
H01L021/02（10） C01B032/184（9） C09K011/65（8）
C23C016/02（8） C01B032/19（6） C30B025/18（6）
发明人 XIE X（62） DING G（46） DI Z（37）
ZHANG Y（36） ZHANG M（32） YU G（31）
CHEN Z（30） JIANG M（29） WANG H（29）
XUE Z（28） WU T（22） ZHANG H（22）
SUI Y（21） WANG G（18） XIE H（17）
公开年 2014（30） 2015（24） 2017（23） 2021（19） 2022（19） 2013（16） 2016（15） 2018（13） 2020（13） 2012（9） 2023（5）
申请年 2015（31）  2013（28）  2014（21）  2016（17）  2021（17）  2022（16）  2012（14）  2019（11）  2017（10）  2020（10）  2018（7）  2011（3）  2023（3） 
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（188）

Transferring graphene involves growing graphene layer on substrate, depositing stress layer on graphene layer, spin-coating bonding glue on stress layer, attaching rigid substrate, peeling rigid substrate followed by performing Vander Waals bonding on laminated structure, and etching stress layer.

TIAN Z, XUE Z, ZHANG M, DI Z, JIANG H

Graphene processing device for providing low energy injection ion for use in e.g. biological medicine application, has upper electrode net and the lower electrode net through which plasma generated by plasma coil discharge passes so as to process sample located on sample seat in processing chamber.

WANG W, JIANG C, WANG Y, WANG H

Preparing radio frequency transistor with self-aligned structure comprises growing graphene layer on upper surface of substrate, spin coating two photoresist, depositing aluminum and gold form self-aligned structure, spin coating transfer glue, attaching transition substrate and cleaning.

XUE Z, TIAN Z, ZHANG M, DI Z, JIANG H

Soil temperature and humidity sensor, has humidity sensitive unit comprising reference inter digital electrode and humidity sensitive electrode that is coated with humidity sensitive film, and temperature sensitive unit constructed on substrate.

ZHAO J, LI L, GE Y

Cell exocytosis research chip based on multi-dimensional nano-sensitive materials used in detecting exocytosis events of dopaminergic neuron cells, comprises counter electrode, reference electrode and working electrode, where working electrode is coated with multi-dimensional nano-sensitive material.

WANG X, LI X, XU P

Method for improving multi-layer graphene coverage rate on copper-based alloy substrate comprises annealing copper base alloy substrate, introducing carbon source to graphene growth after annealing, realizing multi-layer graphene, quickly cooling to room temperature, ending growth.

CHEN Z, XIAO R, YU G, ZHANG Y

Preparing quantum resistance chip based on graphene, involves providing silicon carbide substrate, annealing silicon carbide substrate, performing epitaxial growth on surface of substrate by using chemical vapor deposition method by using silicon ethane as gas catalyst and acetylene.

XIAO X, CHEN L, KONG Z, WANG H

Preparing patterned graphene, comprises forming accommodating passage in silicon carbide base, providing catalyst and insulating substrate, placing catalyst in accommodating passage, and placing sandwich structure in heating device.

GAO B, ZHANG C, GU J, WU T, ZHU H

Preparing magnetic graphene quantum dot for preparing imaging contrast agent and in-vitro diagnostic probe, involves subjecting ferrous ascorbate aqueous solution to hydrothermal reaction, where contrast agent is nuclear magnetic resonance-fluorescence double-mode enhanced imaging contrast agent.

XIE X, DING G, DONG H, YANG S, LI Y

Preparing electrochemical magnetic field detection device based on magnetic induction protein, involves using direct current magnetic control sputtering indium tin oxide on substrate, cleaning, spin-coating positive photoresist on substrate with indium tin oxide conductive layer cleaned,etching.

ZHAO J, GE Y, ZHOU L, CHENG Q, MAO H