国家/地区 日本（44）
IPC部 H（39） B（27） C（25）
G（10） A（2） D（2）
IPC大类 H01（38） C01（23） B82（21）
C23（8） B05（7） B32（6）
B01（5） H05（4） G01（3）
G03（3） G06（3） G11（3）
H03（3） A61（2） B44（2）
IPC小类 H01L（36） C01B（23） B82Y（18）
C23C（8） B05D（7） B32B（6）
B82B（6） H01B（6） B01J（5）
H05B（4） G03F（3） B44C（2）
D01F（2） G01N（2） G06F（2）
IPC H01L021/336（16） C01B031/04（15） H01L029/786（14）
C01B031/02（13） H01L029/78（13） H01L029/06（12）
B82Y030/00（11） H01L029/16（11） H01L051/05（11）
H01L051/30（11） B82Y040/00（10） H01L021/02（9）
C01B032/186（6） C23C016/26（6） H01B001/04（6）
发明人 SHIN H J（14） CHUNG H（12） CHUNG H J（12）
SHIN H（12） HEO J（11） HEO J S（11）
PARK S（10） JUNG H（9） PARK S J（9）
HUH J（8） SEO S（8） SEO S A（8）
SONG H J（7） CHOI J（6） CHOI J Y（6）
公开年 2011（7） 2013（7） 2009（6） 2012（6） 2016（4） 2020（3） 2021（3） 2010（2） 2014（2） 2017（2）
申请年 2012（8）  2010（6）  2011（6）  2008（4）  2015（4）  2009（3）  2014（3）  2016（2）  2019（2）  2020（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（44）

Method for measuring thickness of graphene layer directly grown on silicon substrate by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), involves obtaining effective attenuation length from linear relationship between measurement results by transmission electron microscope and XPS.

LEE E K, CHO Y J, KIM S W, BYUN K, SONG H J, SHIN H J

Nonvolatile memory device comprises resistance switching layer configured to change resistance value based on illumination of light irradiated, and resistance switching layer configured to maintain changed resistance value.

LEE M, JANG H, HAM D, LIU C, HINTON H, KIM H, SHIN H, HYUN L, HAM D H, SHIN H J, JIN H, SHEN X, HINTON H J

Carbon abrasive used to polish slurry, and manufacture semiconductor device contains carbon nanoparticle, and positively charged polymer, and/or positively charged oligomer disposed on surface of carbon nanoparticle.

TAKAI K, KIM D Y, KIM D

Method of forming graphene on substrate, involves treating surface of substrate placed in reaction chamber with plasma, and growing graphene on surface of substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

SHIN K, KIM C, YAMAMOTO K, LEE C, SONG H, LEE E, BYUN K, SHIN H, AN S, SHEN J, JIN C, SHAN B, LI C, SONG X, LI Y, BIAN Q, SHEN X, AN X, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, BYUN K E, SHIN H J, AHN S J

Electronic device e.g. memory device, has carbon layer having bond structure formed between substrate and ferroelectric layer, comprises nanocrystalline graphene including nano-sized crystals.

HEO J, LEE Y, JO S, SHIN K, SHIN H, XU Z, LI R, ZHAO C, SHEN J, SHEN X, HEO J S, LEE Y S, SHIN K W, SHIN H J

Interconnect structure for use in electronic device, has cap layer provided on surface of conductive wiring and which includes nanocrystalline graphene comprising nano-sized crystals.

BYUN K, SHIN K, KIM Y, SHIN H, SONG H, LEE C, KIM C, CHO Y, BIAN Q, SHEN J, JIN Y, SHEN X, SONG X, LI C, JIN C, ZHAO L, BYUN K E, SHIN K W, HUN K Y, SHIN H J, SONG H J, LEE C S, CHO Y C

Porous silicon composite clusters used in carbon composite for electrode, comprise porous core comprising silicon secondary particles comprising aggregates of silicon primary particles comprising silicon, silicon oxide and graphene.

SON I, LEE J, PARK S, HAN S, SON I H, LEE J M, PARK S Y, LEE J H, HAN S S, LI Z

Photomask pellicle for protecting photomask in exposure process using light including extreme UV (EUV), has nanocrystalline graphene that comprises nanocrystalline crystal grains and grains comprise two dimensional carbon structure.

SHIN H J, SONG H J, PARK S J, SHIN K W, LEE C S, SHIN H, SONG H, PARK S, SHIN K, LEE C

Transparent electrode for use in e.g. flexible display, has first electrode layer formed on substrate, and second layer formed on first layer, where set of holes is arranged in repetitive array in graphene mesh structure.

WOO Y S, SOHN H, SHIN W, CHO E, KWAK C, PARK H C, CHO Y, KO D, KO W, KIM K, CHO E H, KO D S, WOONG K, YEO R, SUN X, XIN Y, GUO C, PARK H, CAO Y, GAO D, GAO X, KIM G

Anode material for secondary battery used in electronic device has graphene foam structure that includes graphene frames connected to each other, and nanostructures in pores of graphene foam structure.

SHIN H, LEE D, PARK S, SHIN H J, LEE D W, PARK S J