国家/地区 韩国（72）
IPC部 B（72）
IPC大类 B01（72）
IPC小类 B01J（72）
IPC C23C016/26（48） C01B031/02（45） C01B031/04（34）
B01J019/08（22） B82Y030/00（22） B82Y040/00（21）
C01B032/186（18） C23C016/02（16） B01J023/755（12）
C23C016/56（11） B01J037/02（8） C23C016/44（8）
B01J019/12（7） C23C016/455（7） H01B001/04（7）
发明人 HONG B H（7） CHOI J（6） CHOI I S（5）
CHOI J Y（5） LEE K J（5） SHIN H（5）
HONG B（4） KIM K H（4） MATSUMOTO T（4）
SHIN H J（4） IFUKU R（3） KIM J（3）
LEE J（3） YOON J（3） AHN J（2）
公开年 2013（13） 2012（12） 2021（9） 2014（8） 2017（5） 2022（5） 2011（4） 2015（4） 2016（4） 2018（3） 2010（2）
申请年 2012（18）  2020（8）  2011（7）  2016（7）  2014（6）  2010（5）  2013（5）  2021（5）  2015（4）  2017（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） UNIV SUNGKYU.（9） HANWHA TECHW.（8） SAMSUNG TECH.（7）
KOREA ADV IN.（6） KOREA ADVANC.（4） SRC CORP（4） TOKYO ELECTR.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4） HANWHA AEROS.（3） CENT ADVANCE.（2）
HONG B（2） HONG B H（2） KOREA INST S.（2） LG ELECTRONI.（2）
LOCKHEED MAR.（2） POSCO（2）

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Manufacturing graphene wrinkles using three-dimensional structure patterning process comprises etching transition metal thin film to form three-dimensional pattern and inserting into chemical vapor deposition chamber to synthesize graphene.

KIM J, WIMALANANDA M D S, LEE J M

New platinum-containing compound useful in precursor composition for producing platinum-containing thin film.

CHANG K, SHIN H S, PARK T J, KWON S H

Manufacturing metal-carbon composite useful for high thermal conductivity heat dissipation material, comprises synthesizing carbon material on porous catalyst surface, complexing metal and controlling porosity of metal-carbon composite.

LEE S H, HAJUNSEOK, RHO H K, RYU H S

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Producing octahedral transition metal dichalcogenides involves forming transition metal layer on substrate and injecting chalcogenide-containing gas onto the substrate together with plasma treatment.

VINIT K, KIM H U, LEE J, SEOK H, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H, CANADEVINIT

Structure e.g. porous metal-coated structure used for e.g. catalytic application, comprises substrate comprising activated adsorbent material, and metal material deposited on substrate.

PEPIN P, ETHRIDGE K, THOMSON C, HOLBROOK B, ESRIDGE K

Manufacturing transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction electrode comprises transferring graphene to electrode, depositing transition metal layer on graphene-transferred electrode and injecting plasma-treated sulfur gas.

KIM T S, SEOK H H, LEE I, WOO K H

Manufacture of lithium-ion battery used for e.g. phone and laptop, involves e.g. depositing dense layer comprising anode, cathode and/or electrolyte, by supplying substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having preset size, and performing densification of dried layer.

GABEN F

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F