国家/地区 美国（446）
IPC部 H（446） C（225） B（161）
G（40） A（9） F（3）
IPC大类 H01（446） C01（162） B82（119）
C23（111） B32（45） C30（28）
B01（22） G01（19） B05（17）
H05（16） C25（12） C08（11）
C09（10） A61（7） C07（7）
IPC小类 H01L（446） C01B（162） B82Y（114）
C23C（106） B32B（45） H01B（29）
C30B（28） B01J（19） B82B（18）
B05D（17） G01N（15） C25D（11）
H05K（11） H01J（10） C08K（8）
IPC H01L021/02（446）
发明人 SHIN H（42） SHIN H J（33） LEE C（22）
SHIN K（22） LEE C S（20） SHIN K W（19）
BYUN K（18） KIM S（17） BYUN K E（16）
LEE J（16） CHO Y（15） CHO Y C（12）
DIMITRAKOPOULOS C D（12） SEOL M（12） LEE J H（10）
公开年 2014（56） 2017（51） 2013（50） 2015（49） 2021（46） 2022（39） 2016（32） 2018（27） 2023（27） 2012（25） 2020（16） 2011（12） 2010（8） 2019（6） 2009（2）
申请年 2013（53）  2016（47）  2014（45）  2015（44）  2021（44）  2012（40）  2022（34）  2017（32）  2020（31）  2011（25）  2019（17）  2018（13）  2009（9）  2010（9）  2008（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（90） INT BUSINESS.（40） UNIV SUNGKYU.（15） TAIWAN SEMIC.（14）
GLOBALFOUNDR.（12） FUJITSU LTD（10） US SEC OF NA.（10） APPLIED MATE.（8）
HON HAI PREC.（7） TOSHIBA KK（7） UNIV CALIFOR.（7） UNIV TAIWAN .（7）
UNIV TSINGHU.（7） ELECTRONICS .（6） HONGFUJIN PR.（6） SOLAN LLC（6）
SUMITOMO ELE.（6） TOKYO ELECTR.（6） UNIV NORTH T.（6） WISCONSIN AL.（6）

Graphene structure for use in semiconductor device, comprises substrate, graphene on surface of substrate, and bonding region, where material of substrate and carbon of the graphene are covalently bonded, between surface of substrate and graphene, where bonding region has silicon carbide.

JUNG A, LEE C, SHIN K, KIM C, SHIN H, SONG H, BYUN K, LEE E

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Graphene optical sensor for use in e.g. night vision device, has set of plasmonic antennas provided on surface of graphene layer between first and second electrodes and arranged periodically in first direction and second direction.

YAMASHITA H

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Fabricating semiconductor device involves loading substrate with structure having opening, into process chamber, forming two-dimensional material layers on upper surface of structure, to overlie opening and form air-gap, where upper portion of air-gap, is defined by two-dimensional material layers.

SHIN K, LEE S, YOON J, AN S, LI Z, YOUN J, AN X, AHN S J, SU Y J, LEE S Y, SHIN K W

Interconnect structure for electronic device, comprises first dielectric layer including trench, conductive wire filling inside of trench, first cap layer on top surface of conductive wire, first cap layer including doped graphene, and doped graphene being graphene doped with group fifth element.

JUNG A, KIM S, SHIN K, SHIN K W, KIM S T, JUNG A R

Two-dimensional material structure for use in semiconductor device, has two-dimensional material layer formed on exposed surface of insulator, and another two dimensional material layer including two dimensional materials.

SEOL M, SHIN K W, KWON J, YOO M S, LEE C S, LEE C, YOO M, SHIN K

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

Forming thin film of transition metal dichalcogenide involves providing substrate in reaction chamber, depositing transition metal dichalcogenide thin film on substrate using sputtering process that uses transition metal precursor and chalcogen precursor and is performing at first temperature.

JUNG J, SOHN A, SHIN H, BYUN K, KIM S, KIM C

Manufacturing electronic device such as logic or memory device, involves preparing substrate including channel element, depositing carbon layer on channel element, depositing ferroelectric layer on carbon layer, depositing gate electrode on ferroelectric layer, and crystallizing.

SHIN H, SHIN K, JO S, LEE Y, HEO J