国家/地区 韩国（19） 美国（18） 中国（5） 日本（4） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 H（18） B（15） C（10）
G（3）
IPC大类 H01（17） B82（14） B32（8）
C01（7） B05（4） C23（2）
G02（2）
IPC小类 H01L（15） B82Y（13） B32B（8）
C01B（7） H01B（6） B05D（4）
B82B（2） C23C（2） G02F（2）
IPC B82Y030/00（9） B82Y040/00（8） H01L021/336（6）
H01L029/78（6） B32B009/00（5） B82Y099/00（5）
C01B031/02（5） H01B001/04（5） H01L029/786（5）
H01L029/06（4） H01L029/10（4） H01L029/778（3）
B05D003/06（2） B32B003/00（2） B32B019/00（2）
发明人 CHUNG H（8） CHUNG H J（8） HEO J S（7）
LEE S（7） SEO S（7） HEO J（6）
LEE S H（6） SEO S A（6） SHIN H（6）
YANG H（6） YANG H J（6） CHOI J（4）
CHOI J Y（4） KIM S（4） SHIN H J（4）
公开年 2012（22）
申请年 2011（22）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（22）

Light emitting device, has semiconductor layer arranged on substrate, active layer arranged on semiconductor layer, graphene pattern layer arranged on active layer, and polymer pattern layer arranged on graphene pattern layer.

GYUN G B, HO Y D, SANG L M, SU P S, PARK S S, YOON D H, LEE M S, KANG B K

Method of growing graphene involves injecting carbon on inorganic substrate, forming graphite catalyst layer on carbon-injected inorganic substrate, forming multilayer board on substrate and growing graphene on multilayer board.

YOON S M, CHOI J Y, WOO Y S, SHIN H J, LEE S K

Graphene quantum dot for light-emitting structure of semiconductor light emitting device, comprises graphene core having functional group adhered to edge portion of graphene and shell chemically combined with functional group.

HWANG S W, YOO K H, KO G W, CHUNG H J, SONE C S

Graphene electronic device e.g. back gate FET, has graphene channel layer extending between metals, and source electrode and drain electrode provided on edges of channel layer and formed to have thickness of specific range.

HEO J, CHUNG H, SEO S, LEE S, YANG H, HEO J S, CHUNG H J, SEO S A, LEE S H, YANG H J, JEONG H J, HUH J, JUNG H

Semiconductor device e.g. transistor silicon-based MOSFET, for use as e.g. touch sensor in organic LCD device, has unit layers spaced apart from each other along vertical direction and including patterned graphene layers.

KIM S, CHOI W, JIN Y, KIM S K, JIN Y W

Active optical device i.e. polymer-dispersed liquid crystal, for use in two-dimensional and three-dimensional images display apparatus, has liquid crystal layer arranged between graphene layer and transparent electrode layer.

KIM U, KIM S, LEE S, KIM U J, KIM S I, LEE S J

Organic thin film transistor of electric device e.g. LCD, has graphene layers that are respectively positioned between source electrode and organic semiconductor layer, and between drain electrode and organic semiconductor.

LEE J Y, CHOI W M, JIN Y, KOO B W, CHOI J Y, SHIN H J

Graphene electronic device e.g. FET has source electrode and drain electrode that are connected to both edges of multiple graphene channel layers.

CHUNG H, LEE J, SHIN H, SEO S, LEE S, HEO J, YANG H, CHUNG H J, LEE J H, SHIN H C, SEO S A, LEE S H, HEO J S, YANG H J, SHIN J, HUH J, JUNG H

Nanosensor for detecting nucleic acid using nano-pores, has right graphene layer and left graphene layer arranged on thin layer, which are spaced apart from each other and centering between nano-pore.

CHO S, LEE D, CHO S H, LEE D H

Graphene structure for producing three-dimensional shape of e.g. electronic circuit, comprises template having three-dimensional shape and rod shape, graphene to cover portion of outer circumference of template, and supporting layers.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T