国家/地区 欧洲专利局（EPO）（79）
IPC部 H（71） B（42） C（32）
G（15） A（2）
IPC大类 H01（71） B82（34） C01（27）
B32（10） B01（9） C23（9）
B05（5） G06（4） H05（4）
C25（3） G01（3） G02（3）
G03（3） A61（2） B23（2）
IPC小类 H01L（63） B82Y（32） C01B（27）
B32B（10） C23C（9） H01B（9）
B01J（8） B05D（5） B82B（5）
H01M（5） H05B（4） C25D（3）
G03F（3） B01D（2） B23K（2）
IPC H01L029/16（31） H01L021/02（24） B82Y040/00（20）
H01L029/66（19） B82Y030/00（18） H01L029/786（18）
H01L029/06（17） C01B031/04（16） H01L029/778（14）
H01L029/78（14） C01B031/02（13） H01L021/336（13）
H01L029/417（11） H01L021/768（10） H01L029/423（10）
发明人 SHIN H（32） SHIN H J（25） LEE C（19）
LEE C S（18） PARK S（17） BYUN K（16）
LEE J（16） PARK S J（15） SHIN K（15）
BYUN K E（14） LEE J H（14） SHIN K W（14）
CHOI J（12） SONG H（11） CHO Y（10）
公开年 2014（12） 2021（10） 2022（9） 2017（8） 2023（8） 2013（6） 2016（5） 2011（4） 2012（4） 2015（4） 2018（3） 2020（3） 2009（2）
申请年 2021（12）  2022（9）  2013（8）  2014（8）  2016（7）  2015（6）  2020（6）  2012（5）  2017（5）  2011（4）  2010（3）  2008（2）  2019（2） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（79）

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Micro light emitting semiconductor device for display apparatus, has first and second semiconductor layers, light emitting layer and color conversion layer with porous layer having quantum dot, where doping-type of second semiconductor layer is different from doping-type of color conversion layer.

HWANG J, PARK J, HWANG K, KIM D, HWANG K W, HWANG J S, JIN D

Nonvolatile memory device for neuromorphic apparatus, has gate insulating layer extending in first direction between channel layer and gate electrodes, where each of gate electrodes includes metal-doped graphene.

SHIN K, KIM C, PARK S, KIM H, BYUN K, YUN D, LEE C, LI C, YIN T, PIAO S, JIN C, SHIN K W, PARK S H, KIMHYUNWOO, BYUN K E, JIN Y D, LEE C S

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Field effect transistor comprises substrate, gate electrode on substrate, insulating layer, source electrode on insulating layer, drain electrode spaced apart from source electrode, channel between source electrode and drain electrode comprising two-dimensional material and tensile strain region.

KWON J, SEOL M, YOO M, YOO M S, QUAN J, YU M

Vertical channel array transistor for use in semiconductor device, has graphene insertion layer that is formed between source/drain electrode and channel pattern.

BYUN K, KIM S, KIM C, SHIN K, LEE C, LI C, JIN C, JIN S, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S

Multi bridge channel field effect transistor for use in e.g. memories, has gate insulating layer that surrounds first channel layer, and gate electrode that surrounds first channel layer with gate insulating layer.

KIM C, KIM U, JUNG A, BYUN K, JIN Y, JIN C, JUNG A R, BYUN K E

Semiconductor device for use in electronic apparatus, has source/drain structure including silicide film to be formed between first semiconductor region and first electrode, and conductive barrier to be formed.

KIM C, NAM S, SHIN K, LEE D, LI D, JIN C, NAM S G, SHIN K W, LEE D H

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Black phosphorus-two dimensional material complex for electronic device, includes first and second two-dimensional material layers being configured to be coupled to each other by van der Waals force, and black phosphorus sheet in which phosphorus atoms are covalently bonded.

YOON S, LEE C, HWANG H, SHIN H, SEOL M, SUK S H, SHIN H J, HWANGHYUNTAE, LEE C S, YUNE S I, YIN S, LI C, SHEN X