国家/地区 美国（37）
IPC部 H（33） C（18） G（6）
B（4） D（2）
IPC大类 H01（33） C01（11） C23（7）
C09（3） G03（3） B01（2）
B32（2） C08（2） C25（2）
D01（2） G06（2） H05（2）
IPC小类 H01L（28） C01B（11） C23C（7）
H01M（5） C09D（3） G03F（3）
H01B（3） B32B（2） C08L（2）
C25D（2） D01D（2） D01F（2）
G06F（2） H01G（2）
IPC H01L021/02（15） H01L029/16（12） H01L021/768（8）
C01B032/186（7） H01L023/532（7） H01L029/45（7）
H01L023/522（6） C23C016/26（5） H01L029/66（5）
H01L021/285（4） H01L029/06（4） H01L029/417（4）
C23C016/02（3） H01B001/02（3） H01B005/14（3）
发明人 CHO Y（37）
公开年 2020（8） 2021（7） 2022（7） 2016（4） 2017（4） 2018（4） 2023（2）
申请年 2021（8）  2015（5）  2019（5）  2020（5）  2016（4）  2017（4）  2022（4）  2018（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（29） AICT（2） BASIC SCI IN.（2） KNU IND COOP.（2）
PURITECH CO .（2） UNIV KANGWON.（2） UNIV SEOUL N.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Semiconductor device has gate electrode, gate dielectric, channel layer with two-dimensional semiconductor material, where at location of gate electrode not vertically overlapping source and drain electrodes, height of gate electrode is defined from lowermost to uppermost surface of gate electrode.

SHIN H, CHO Y, SEOL M, LEE M

Semiconductor element used in various integrated circuit devices, has substrate comprising trench, source region, and drain region, where source region and drain region separated apart from each other by trench, gate insulating layer covering bottom surface and sidewall of trench, gate electrode.

CHO Y, BYUN K, KIM S, LEE E, BYUN K E, CHO Y C

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Thin-film structure used in semiconductor element, comprises substrate, nanocrystalline graphene layer on substrate, and two-dimensional material layer on nanocrystalline graphene layer, where substrate is silicon, silicon dioxide, aluminum oxide, quartz, germanium, gallium nitride, aluminum nitride.

CHO Y, LEE Z, SHIN H, SONG S, SON S, KIM J, KWON S, LEE C, LEE C S, YONG K S, KIM J H, SONG S U, SHIN H J, YI J H, CHO Y C

Acetylene fluid supply package for use in fabricating a semiconductor device, has pressure vessel, porous filler in the pressure vessel, improved solvent within the porous filler, where solvent solubilizing with acetylene absorbed within the improved solvent, improved solvent is triethyl phosphate.

HAN Y, CHUNG W, CHO Y, KANE W S, SONG X, SINHA A K, CHO Y J

Semiconductor device comprises two-dimensional material layer between metal layer and semiconductor layer, and metal compound layer between two-dimensional material layer and semiconductor layer.

SHIN H, SHIN K, BYUN K, CHO Y, CHO Y C, BYUN K E, SHIN K W, SHIN H J

Patterning two-dimensional material layer comprises forming two-dimensional material layer in both first region and second region, and removing two-dimensional material layer from second region based on using physical removal method.

CHO Y, YOO M, SHIN H, KWON J, SEOL M, NGUYEN V L, SHIN H J, YOO M S, CHO Y C

Interconnect structure for use in electronic device, has graphene layer formed between semiconductor layer and metal layer, and conductive metal oxide layer provided between graphene and semiconductor layers and covering region.

CHOI T, CHO Y, LEE C, LEE E, SHIN K, SONG H, BYUN K, KIM S, SHIN H, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, SHIN K W, LEE C S, CHO Y C, CHOI T J

Semiconductor device comprises metal layer, semiconductor layer electrically contacting metal layer, and two-dimensional material layer formed between metal layer and semiconductor layer.

SHIN H, BYUN K, CHO Y, CHO Y C, BYUN K E, SHIN H J

Measuring thickness of graphene layer directly grown on silicon substrate by obtaining signal intensities from graphene layer directly grown on silicon substrate in response to emitting X-ray radiation toward graphene layer using X-ray photoelectron spectroscopy instrument and calculating thickness.

SHIN H, SONG H, BYUN K, KIM S, CHO Y, LEE E, CHO Y C, BYUN K E, SONG H J, SHIN H J, SHEN X, JIN S, ZHAO L, LI Y