国家/地区 韩国（25） 美国（23） 中国（17） 世界知识产权组织（13） 欧洲专利局（EPO）（9） 日本（9） 台湾（6） 印度（4） 加拿大（3） 澳大利亚（2） 法国（2）
IPC部 H（39） C（24） B（9）
G（6）
IPC大类 H01（39） C23（15） B82（6）
C01（6） C09（5） C30（5）
B01（4） C08（3） C25（3）
G03（3） B05（2） B22（2）
C04（2） G01（2）
IPC小类 H01L（39） C23C（15） B82Y（6）
C01B（6） C30B（5） B01J（3）
C09D（3） C25D（3） G03F（3）
B05D（2） B22F（2） C04B（2）
C08K（2） C09K（2） G01N（2）
IPC H01L021/02（39）
发明人 SHIN H（6） SHIN H J（6） BYUN K（3）
BYUN K E（3） LEE C（3） LEE C S（3）
AHN W（2） AHN W S（2） CHO Y（2）
CHO Y C（2） FIMLAND B M（2） GABEN F（2）
KIM C（2） KIM D（2） KIM H（2）
公开年 2021（39）
申请年 2020（39）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） UNIV SUNGKYU.（3） CRAYONANO AS（2） UNIST ULSAN .（2）

Method for improving charge mobility of charge channel layer, involves passivating portion or all of the surface of the charge channel layers with an amorphous hydrocarbon thin film.

TAE K, KIM D, YI J H

Heterojunction diode using two-dimensional thin film insertion layer, has second semiconductor layer that is semiconductor laminated on two-dimensionally thin-film insertion layer, and lower electrode that is made of aluminum.

BAE S Y, JUNGSUNGMIN, MYUNGHYUN L, SHIN Y J, SEO D H, KIM Y H

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Producing hexagonal boron nitride or graphene two-dimensional composite material, involves obtaining obtaining germanium substrate, depositing hexagonal boron nitride on germanium substrate by controlling area and depositing graphene.

LEE J, HYEON S H, HYEONG S

Surface treatment device for treating surface of sample is two-dimensional material, in atomic layer unit, has sample holder in which sample surface-treated by plasma, and installed at or outside boundary of area occupied by plasma generator in one direction.

LEE G H, LEE J

Manufacturing two-dimensional material involves positioning mixed solution of organic solvent in which two-dimensional material is dispersed on substrate.

LEE Y H, SONG T E, AHN C W, YUN H J, HAN H, HEE L Y, SONG T, AN C, YOON H J

Semiconductor device e.g. NAND flash memory device, has gate layers stacked in vertical direction perpendicular to upper surface of substrate and spaced apart from each other on pattern layer, and memory vertical structure penetrating through gate layers in direction.

YANG H, KANG S

Manufacture of lithium-ion battery used for e.g. phone and laptop, involves e.g. depositing dense layer comprising anode, cathode and/or electrolyte, by supplying substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having preset size, and performing densification of dried layer.

GABEN F

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F

Integrated circuit structure contained in electronic device, has graphene barrier material which conforms to sides and bottom of opening, and conductive metal which fills portion of remainder of opening in dielectric material.

CHANDRASEKHAR N, CHOWDHURY A S