国家/地区 美国（22） 韩国（19） 中国（13） 世界知识产权组织（10） 欧洲专利局（EPO）（9） 日本（9） 台湾（5） 印度（4） 加拿大（3） 法国（2）
IPC部 C（31）
IPC大类 H01（31） C23（19） C01（9）
B82（6） C30（6） C09（5）
C08（3） C25（3） G03（3）
B01（2） B05（2） B22（2）
B24（2） C04（2）
IPC小类 H01L（31） C23C（19） C01B（9）
B82Y（6） C30B（6） C09D（3）
C25D（3） G03F（3） B01J（2）
B05D（2） B22F（2） B24B（2）
C01G（2） C04B（2） C08K（2）
IPC H01L021/02（31）
发明人 SHIN H（6） SHIN H J（5） BYUN K（3）
BYUN K E（3） CHO Y（3） CHO Y C（3）
LEE C（3） LEE C S（3） SHIN K（3）
SHIN K W（3） AHN W（2） AHN W S（2）
FIMLAND B M（2） GABEN F（2） KIM H（2）
公开年 2021（24） 2020（5） 2022（2）
申请年 2020（31）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） CRAYONANO AS（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Formation of patterned layer of material involves selectively irradiating selected portion of support layer during deposition process to form layer of deposited material in pattern defined by selected portion.

PARAYIL VENUGOPALAN S, KURGANOVA E, FARAMARZI V

Manufacturing strained two-dimensional material, involves separating synthesized two-dimensional material, substrate in fluid phase, lifting substrate, and releasing strain provided on flexible substrate.

YONGSOO C, JUNG Y

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Producing hexagonal boron nitride or graphene two-dimensional composite material, involves obtaining obtaining germanium substrate, depositing hexagonal boron nitride on germanium substrate by controlling area and depositing graphene.

LEE J, HYEON S H, HYEONG S

Manufacture of lithium-ion battery used for e.g. phone and laptop, involves e.g. depositing dense layer comprising anode, cathode and/or electrolyte, by supplying substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having preset size, and performing densification of dried layer.

GABEN F

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F

Manufacturing semiconductor device involves heating second layer of first unit includes first layer, second layer, and third layer. The first layer includes support layer, second layer includes compound containing carbon.

MIGITA T

Producing epitaxial structure useful in flexible electronic device comprises providing multilayer graphene layer having through-holes, providing single crystal substrate having graphene layer formed and growing semiconductor structure.

HONG Y, JUNG J S, JUNGJOONSUCK

Selective growth and pattering of graphene by depositing fine-grained metal or alloy on oxidized silicon substrate, annealing the metal to change the structure of the metal to amorphous, mixed and/or single texture, performing hydrocarbon dissolution, growing and releasing graphene layer.

ZAKAR E S

Graphene structure used in electronic device, comprises substrate, and directly grown graphene directly grown on surface of substrate and has controlled surface energy, which has increased surface energy of directly grown graphene.

LEE C, LEE S, SHIN H, BYUN K, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LEE S Y, LEE C S