国家/地区 美国（67）
IPC部 C（67）
IPC大类 C23（67）
IPC小类 H01L（67） C23C（62） C01B（48）
B82Y（22） B32B（11） H01B（11）
C30B（10） B05D（7） C23F（7）
B82B（5） B01J（4） H01J（4）
H01M（3） B41M（2） B65H（2）
IPC H01L029/16（67）
发明人 SHIN H（7） SHIN H J（6） BYUN K（4）
BYUN K E（4） LEE C（4） LEE C S（4）
PARK J（4） SHIN K（4） SHIN K W（4）
AHN J（3） AHN J R（2） ALIVISATOS A P（2）
CENTENO P A（2） CHO S（2） CHO S M（2）
公开年 2017（11） 2014（7） 2021（7） 2016（6） 2011（5） 2015（5） 2018（5） 2020（5） 2012（4） 2013（4） 2019（3） 2022（3） 2010（2）
申请年 2016（11）  2015（8）  2013（7）  2020（7）  2012（5）  2017（5）  2010（4）  2014（4）  2018（4）  2019（4）  2009（2）  2011（2）  2021（2）  2022（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（10） UNIV SUNGKYU.（4） AHN J（3） NOKIA CORP（3）
TOKYO ELECTR.（3） UNIV CALIFOR.（3） APPLIED MATE.（2） CALIFORNIA I.（2）
COMMISSARIAT.（2） FUJITSU LTD（2） GRAPHENE SQU.（2） GRAPHENEA SA（2）
HANWHA TECHW.（2） INT BUSINESS.（2） KOREA INST S.（2） NOKIA TECHNO.（2）
PARAGRAF LTD（2） UNIV SUNGKYU.（2） ZHANG Y（2）

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D

Plasma enhanced chemical vapor deposition method used in semiconductor structure, comprises turning on radio frequency source of radio frequency system to decompose aromatic hydrocarbon precursor into multiple active radicals at specific frequency to form graphene layer on magnetic layer.

WU Z, NI I, XU Y, HUANG J, WU C, HSU Y, HUANG J Z, HSU Y H

Forming graphene on flexible substrate, involves providing polymer substrate including metal structure, carbon source and carrier gas, and subjecting polymer substrate to plasma enhanced chemical vapor deposition process.

TSENG C, LIN C, YEH N, LEU C, LU C

Semiconductor device e.g. monolithic three-dimensional integrated circuit, has microelectronic components embedded in single crystalline dielectric material, where material contains carbon with diamond structure or hexagonal boron nitride.

CLARK R D, CLARK R

Graphene structure used in electronic device, comprises substrate, and directly grown graphene directly grown on surface of substrate and has controlled surface energy, which has increased surface energy of directly grown graphene.

LEE C, LEE S, SHIN H, BYUN K, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LEE S Y, LEE C S

Depositing layer of carbon nanostructures on substrate by providing substrate in processing chamber, providing processing gas in processing chamber having carbon monoxide gas and creating and sustaining gaseous plasma in processing chamber.

ZAPLOTNIK R, MOZETIC M, PRIMC G, VESEL A, HORI M, ODA O

Masking block used e.g. to form pattern comprises base substrate, gamma-alumina thin film disposed on base substrate, and hexagonal boron nitride thin film doped with carbon and oxygen and disposed on gamma-alumina thin film.

LEE D, PARK J, PARKJAEHYUN, LEE D J

Fabricating hexagonal boron nitride comprises placing catalytic metal having hexagonal crystal structure and lattice mismatch with hexagonal boron nitride in chamber and growing hexagonal boron nitride on the catalytic metal while supplying nitrogen source and boron source into the chamber.

LEE C, SHIN H, HONG S, MA K, LEE C S, SUK S H, SHIN H J, LI C, SHEN X

Producing polymer-coated graphene layer structure involves e.g. adding substrate to reaction chamber, supplying flow comprising precursor compound to form graphene layer structure, heating and spin-coating using polymer or polymer precursor.

GLASS H, GUINEY I, TYLER M, WALLIS R, THOMAS S, TAYLOR M

Providing electrical contact on graphene surface, for polymer-coated graphene layer structure involves e.g. providing graphene layer structure comprising graphene layers and having polymer coating on its surface.

GLASS H, GUINEY I, TYLER M, THOMAS S