国家/地区 世界知识产权组织（104）
IPC部 C（104）
IPC大类 H01（104） C01（78） C23（51）
B82（47） B32（21） C30（19）
B01（10） B05（10） C08（9）
C09（9） C25（7） H05（6）
C07（5） G01（5） C04（3）
IPC小类 H01L（104） C01B（78） C23C（49）
B82Y（45） B32B（21） C30B（19）
B82B（12） B05D（10） H01B（10）
B01J（8） C09D（7） C08K（6）
C25D（6） H01J（6） H01G（5）
IPC H01L021/02（104）
发明人 BERRY V（3） GUINEY I（3） MALLICK A B（3）
NARKEVICIUTE I（3） SATO S（3） SEACRIST M R（3）
VARADARAJAN B N（3） ARNOLD M S（2） CHEN Z（2）
CHO S（2） CHO S M（2） DAVIS M A（2）
DIXON S（2） FIMLAND B M（2） GABEN F（2）
公开年 2021（16） 2013（13） 2012（12） 2014（11） 2015（9） 2017（9） 2011（7） 2023（7） 2022（6） 2016（4） 2010（3） 2019（3） 2018（2）
申请年 2013（16）  2011（11）  2020（10）  2021（10）  2015（9）  2012（8）  2022（8）  2014（7）  2009（6）  2016（5）  2017（5）  2010（4）  2019（3）  2018（2） 
专利权人 APPLIED MATE.（4） FUJITSU LTD（4） UNIV CALIFOR.（4） EMPIRE TECHN.（3）
LAM RES CORP（3） NOKIA TECHNO.（3） PARAGRAF LTD（3） SUNEDISON SE.（3）
UNIV HANYANG.（3） UNIV MANCHES.（3） WISCONSIN AL.（3） CALIFORNIA I.（2）
CRAYONANO AS（2） DAVIS M A（2） DOKURITSU GY.（2） HANWHA TECHW.（2）
INT BUSINESS.（2） JOHNSON A T（2） KELBER J（2） MEMC ELECTRO.（2）

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Manufacture of thin film used for field effect transistor, involves providing graphene layer on one surface of substrate, functionalizing other surface opposite to one surface of substrate using reactant, depositing thin film on functionalized graphene layer, and separating thin film by heating.

LEE G H, RYU H J, RYU H

Method for processing semiconductor, involves material layer formed on portion of liner and metal-containing layer, where layer of material comprises graphene and portion of material layer on liner is removed.

MALLICK A B, SINGHA R S, GHOSH S, ROY S S

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Forming dual damascene structure on semiconductor substrate, involves selectively depositing carbon layer on exposed metal surface.

PARBATANI A, VAN SCHRAVENDIJK B J, VARADARAJAN B N, NARKEVICIUTE I, SRINIVASAN E, SHARMA K, KNARR R, SCHMITZ S, RAMANAN V, NOGAMI T, NGUYEN S V, HUANG H, SHOBHA H K, LI J, PEETHELA C B, EDELSTEIN D C

Formation of graphene layer for semiconductor device, involves exposing substrate comprising conductive and dielectric materials to plasma to clean conductive material, and exposing substrate to another plasma to form graphene layer.

MEBARKI B, CHUA T C, VALENCIA C W, LEE J J, TANG X, CHEN X

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

P-type transparent conductor with highly reduced graphene oxide thin film, has substrate and highly reduced graphene oxide thin film deposited on the substrate, in which the film is directly grown on substrate by pulsed laser deposition.

RAO R M S, JUVAID M M, SARKAR S, VENKATESAN T